用平面 CMOS 实现 7nm，欧洲斥资 8.3 亿欧元建设 FAMES FD-SOI 中试线

电脑系统网 6 月 25 日消息，法国 CEA-Leti 研究所正式宣布领导代号建设 FAMES 的 FD-SOI 中试线，项目整体投资达到 8.3 1亿欧元（计算机系统网注：目前约： 64.74 亿元人民币)。

CEA-Leti 该研究所是法国原子能和替代能源委员会的下属机构 FD-SOI 硅在全耗绝缘体上的发明单位。

FD-SOI 是一项平面 COMS 采用与先进工艺领域流行的技术 FinFET 不同的三维晶体管技术路线：

FD-SOI 工艺在基底硅顶部埋设一层超薄氧化物绝缘体，减少了源极与漏极之间的寄生电容，有效限制了从源极流向漏极的电子，显著降低了影响性能的漏电流效应。

FAMES 是欧洲芯片联合企业 Chip JU 包括比利时在内的四个先进半导体试线项目之一 imec 牵头的 NanoIC 亚 2nm 制程 SoC 中试线等。

FAMES FD-SOI 中试线将开发以下五套新技术：

10nm、7nm 两个工程节点 FD-SOI 工艺；

多种 eNVM 嵌入式非易失性存储包括 OxRAM、FeRAM、MRAM 和 FeFET；

射频元件，如开关、滤波器、电容器等；

两种异构集成和顺序集成 3D 集成工艺；

用于开发 PMIC 电路上 DC-DC 小型电感器的转换器。

这五套技术将低功耗 MCU、MPU、尖端 AI / ML 5G设备、射频设备 / 6G 芯片、汽车芯片、智能传感器等创造市场机会。

CEA-Leti 首席技术官让-勒内-莱克佩斯 (Jean-RenéLèquepeys) 表示：

通过整合和结合一系列尖端技术，FAMES 中试线将颠覆性 SoC 架构打开大门，为未来芯片提供更智能、更环保、更高效的解决方案。

FAMES 该项目将特别关注半导体的可持续发展挑战。

CEA-Leti 表示 FAMES FD-SOI 至少中试线项目已经获得 43 在“电子系统价值链”企业的支持下，合作伙伴将包括比利时 imec，欧洲许多国家的重要研究机构，如德国弗劳恩霍夫应用促进协会。

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