设备成本渐成先进制程重要因素，Hyper NA EUV 光刻机价格恐破万亿韩元大关

电脑系统网 7 月 2 日报道，韩国媒体《朝鲜日报》近日表示，ASML 预计于 2030 年之后发布的下一代光刻设备 —— Hyper (0.75) NA EUV 光刻机价格可能会提升一万亿韩元（电脑系统网备注名称：现阶段约 52.67 亿人民币）大关。

报道称，传统 Low (0.33) NA EUV 光刻机每台大约为 2500 万美元（现阶段约 13.17 亿人民币），目前已经逐渐交付 High (0.55) NA EUV 光刻机价格已升到 4000~5000 万美元（现阶段约 21.07 ~ 26.34 亿人民币）。

而 HXE 系列产品 Hyper NA EUV 光刻机的价钱将于 High NA EUV 的基础上再次翻番。

充分考虑光刻机愈发价格昂贵，设备投资问题已成为各先进制程代工企业规划人生加工工艺时候的关键参考标准：

台积电则在第一个 BSPDN 连接点 A16 上不可能选用 High NA EUV；三星电子在 SF1.4 节点推广中未提及 High NA；对 High NA 最积极的intel都将实践应用放在了 Intel 14A 上。

贴近台积电的消息人士向韩国媒体表明，台积电考虑到更好地发挥在多重图案化上的技术积累，尽可能使用目前 Low NA 机器设备完成工艺技术，延迟 High / Hyper NA 的导进。

而贴近三星电子的消息人士则认为，伴随着 Hyper NA EUV 出现在了 ASML 的产品策划上，三星电子同样在核查本身路线地图。

这名消息人士觉得，充分考虑最后将转换到 Hyper NA，积极引入已很昂贵 High NA EUV 光刻机可能是一个槽糕挑选。三星电子也不排除绕过 High NA 立即转为 Hyper NA 的可能性。

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