消息称 SK 海力士 HBM4 内存使用台积电 N5 版基础裸片

电脑系统网 7 月 17 日报道，《韩国经济日报》（Hankyung）表明，SK 海力士将采取台积电 N5 加工工艺版基础裸片（Base Die）搭建 HBM4 内存。

新一代 HBM 内存 HBM4 的 JEDEC 规范将要定罪。但根据电脑系统网报道，SK 海力士的第一批 HBM4 商品（12 层层叠版）有望于 2025 年年底发布。

SK 海力士和台积电彼此在今年 4 月签订了协作合作备忘录，公布凑合 HBM 内存的基础裸片深化合作。

而台积电在 2024 年技术研讨会欧洲地区场中表明，该公司提前准备了两款 HBM4 内存基础裸片，分别是面对价格敏感性新产品的 N12FFC 版及面对性能卓越运用的 N5 版。

在其中 N5 版基础裸片总面积仅有 N12FFC 版 39%，同效率下时序逻辑电路工作频率可以达到 N12FFC 版 155%，同频率功能损耗则仅有 35%。

N5 加工工艺版基础裸片可以实现 6~9μm 级别互连间隔，在目前流行的 2.5D 式封装形式集成化外还可以适用 HBM4 内存同逻辑性芯片的 3D 竖直集成化。这一竖向构造可提供更大的内存网络带宽，将长远更改 HPC AI 处理芯片绿色生态。

HBM 内存基础裸片转由逻辑性芯片加工生产制造都是半导体设备两大领域走向融合的最好证明。韩国媒体在报道中指出，SK 海力士和三星电子均正在为其 HBM 内存精英团队填补数字逻辑优秀人才。

延伸阅读：

《报道称三星电子以自己家 4nm 工艺技术打造出 HBM4 内存逻辑芯片》

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