消息指台积电最快 2028 年 A14P 制程引入 High NA EUV 光刻技术

电脑系统网 7 月 29 日信息，台湾媒体《电子时报》（DIGITIMES）今日消息称，台积电更快在 2028 年发布的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技术。

台积电现阶段正式发布的最前沿制程为 A16，该工艺将支持反面供电系统互联网（BSPDN），定为 2026 后半年批量生产。就目前消息来看，在 A16 上台积电依然会采用传统 Low NA (0.33NA) EUV 光刻机。

台湾媒体在报道中指出，台积电在 A16 后的下一代加工工艺 A14 预计于 2026 上半年度进到风险性试生产环节，更快 2027 年三季度批量生产，该节点主力军光刻机器设备仍将是 ASML 的 NXE:3800E Low NA EUV 机器设备。

但在 A14 改良版 A14P 中，台积电有希望正式开通 High NA EUV 光刻技术，该连接点时间上大概落到 2028 年。

台积电将于 2030 年再进入 A10 等比较优秀世世代代，到时候会全方位导进 High NA EUV 技术性，进一步改进制程科技的成本和效率。

报导也提到，台积电已经完成批量生产用 ASML High NA EUV 光刻机的第二环节购置。

但在产品研发用机器设备层面，ASML 之前已经公布，将于 2024 年之内交货台积电的第一台 High NA EUV 光刻机，使用价值达 3.8 亿美金（电脑系统网备注名称：现阶段约 27.62 亿人民币）。

台积电先进代工生产竞争者中，intel确立将于 Intel A14 连接点应用 High NA 光刻；三星电子虽早就向 ASML 提交订单 High NA EUV 光刻机但没有明确什么时候开启；Rapidus 的 High NA 连接点至少得直到 2nm 后。

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