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编辑:电脑系统网 2024-09-10 来源于:电脑系统网
电脑系统网 9 月 9 《韩国经济日报》当地时间本月 3 据日报报道,因为 QLC 企业级固态硬盘销售状况良好,SK 海力士旗下 Solidigm 中国大连晶圆厂将在一段时间内延续 FG(计算机系统网注:浮动栅极,Floating Gate)NAND 闪存技术,并获得新的设备投资。
Solidigm 英特尔是大连晶圆厂 NAND 加入闪存和固态硬盘业务 SK 目前主要生产海力士 192 层 FG 结构 NAND 闪存,贡献 SK 约30%的海力士整体闪存生产能力。
▲ 基于 192 层 FG QLC NAND 的 Solidigm D5-P5336 固态硬盘一个 NAND 单元存储的二进制数据是“0”还是“1”取决于其电荷的数量。现有的电荷是如何存储的核心问题 NAND 大致可以分为 FG 和 CT(电荷捕获 / 电荷阱,Charge Trap)两种流派。
随着 3D NAND 闪存的发展,接近干扰效应较低 CT 逐渐取代结构 2D NAND 时代占主流 FG。不过 FG 结构也有其独特的优势,更适合每个单元的比特数更高 QLC NAND 闪存。
目前仍在主流产品中使用 FG 结构的大型 NAND 只有原英特尔闪存和制造商 SSD 部门 Solidigm,这意味着 Solidigm 与母公司 SK 海力士采用不同的路线,开发成本高。
此前有业界声音认为 SK 在完成与英特尔的第二阶段交易后,海力士将把它交给英特尔 Solidigm 迁移至 CT 阵营。但最近随之而来 AI 服务器需求旺盛,单盘容量大,价格低 QLC NAND 逐渐成为行业的焦点,Solidigm 因此,业绩也有所改善。
消息人士表示,在这种背景下 SK 海力士没有推动 Solidigm 大连工厂调整技术路线的动力将增加对工厂的投资,以加快速度 PLC NAND 闪存与 128TB 开发企业级固态硬盘。
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