佳能向美国得克萨斯电子研究所交付其最先进纳米压印光刻 NIL 系统

电脑系统网 9 月 27 日本消息，佳能日本东京时间昨日宣布，将在同一天向总部位于德克萨斯州的半导体联盟德克萨斯电子研究所宣布（TIE）交付佳能最先进的纳米压印光刻 NIL 系统 FPA-1200NZ2C。

成立于德克萨斯电子研究所 2021 2000年，德克萨斯地方政府和半导体企业(计算机系统网注:包括英特尔)、得克萨斯大学奥斯汀分校支持美国国家研究机构和其他实体。

该联盟提供访问半导体研发计划和原型设施的权限，以帮助解决与先进半导体技术（包括先进包装技术）相关的问题。

佳能的 FPA-1200NZ2C 最小化系统 14nm 线宽图案化，支持 5nm 工艺逻辑半导体生产。该设备将用于德克萨斯电子研究所先进半导体的研发和原型生产。

传统的光刻设备通过将高能光投射到涂有光刻胶的晶圆上来塑造电路图形，而佳能 FPA-1200NZ2C 该系统将印有电路图形的掩模压入晶圆上的光刻胶中，就像印章一样。

由于其电路图形转移过程不经过光学步骤，NIL 光刻设备可以忠实地在晶圆上再现掩模中的精细电路图形。此外 NIL 光刻设备还具有功耗低、成本低的优点。

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