整体产能升至以往四倍，德州仪器日本会津工厂启动氮化镓功率半导体生产

电脑系统网 10 月 26 日消息，德州仪器 TI 本月 24 日本宣布，位于日本会津的工厂已经开始生产基于氮化镓的工厂 GaN 材料的功率半导体产品，这也意味着整个德州仪器 GaN 功率半导体的生产能力提高到以前的四倍。

德州仪器技术与制造高级副总裁 Mohammad Yunus 表示：

我们凭借十多年的氮化镓芯片设计和制造专业知识，成功验证了我们 200mm(计算机系统网注: 8 英寸)氮化镓技术 —— 当今最具可扩展性和成本竞争力 GaN 制造方法 —— 并开始在会津量产。

这个里程碑使我们能够在内部创造更多 GaN 芯片，到 2030 年，我们的内部制造率将达到 95% 以上，同时还可以从德州多个地方购买仪器，保证我们的整个过程 GaN 高功率、高效半导体产品组合的可靠供应。

会津 GaN 功率半导体生产线的投入量产也意味着德州仪器可以使用 GaN 器件扩展到 900V 更高的电压创造了更广泛的应用场景；此外，德州仪器今年早些时候成功进行了 300mm（12 英寸）晶圆 GaN 试点制造工艺。

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