消息称三星电子 2025 年初引进其首台 ASML High NA EUV 光刻机

电脑系统网 10 月 30 日消息，韩媒 ETNews 据当地时间昨日报道，三星电子已决定 2025 第一台在年初引进 ASML High NA EUV 光刻机与英特尔、台积电正式展开下一代光刻技术商业化研发竞争。

三星电子此前与比利时微电子研究中心同比利时微电子研究中心 imec 后者与合作 ASML 联手建立的 High NA EUV 光刻实验室是对的 High NA 初步探索光刻；本次引入自有 High NA 机台将加快三星的研发进程。

考虑到精度 High NA EUV 光刻机需要一段时间的安装和调试，预计最早将于明年中旬投入研发和使用。由于三星目前规划了半导体先进工艺路线图 SF1.4 节点(计算机系统网注:2027 年量产)，采用 High-NA 最早的光刻工艺也需要等到 SF1。

英特尔已经完成了三星在先进工艺OEM领域的两个主要对手中的第二个 High NA EUV 安装光刻机时，台积电的第一台机也将在今年内交付；此外，在存储领域，SK 第一台海力士 High NA EUV 光刻机有望 2026 年引入。

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