DRAM / NAND 巨头明年加码半导体投资：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

电脑系统网 12 月 21 据韩国媒体报道，日本消息 ETNews 报告，三星和 SK 海力士都有计划 2024 半导体设备投资年增加。

三星计划投资 27 万亿韩元(计算机系统网注:目前约: 1482.3 1亿元人民币)，比较 2023 年度投资预算增加 25%；而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元(目前约 290.97 1亿元人民币)，比较今年的投资额增长 100%。

报告指出，三星和 SK 除了增加半导体设备的投资外，海力士还增加了投资 2024 年产能目标。

报告称三星将军 DRAM 和 NAND 闪存产量增加 24%，而 SK 海力士的目标是将军 DRAM 产能提高到 2022 年底水平。

根据集邦咨询公布的 2023 年第 3 季度收入数据，在市场份额方面，三星 DRAM 领域占有约 38.9% 市场份额，而 SK 海力士则为 34.3%。

在 NAND 三星拥有该领域的约会 31.4% 市场份额，而 SK 海力士则占 20.2%。

DRAM 和 NAND 由于市场长期供应过剩，主要制造商采取了减产的方式，直到最近才得到缓解。

在价格反弹的情况下，韩国两家公司计划进行重大投资，这引发了人们对存储行业可能面临新挑战的担忧。

此外，业界普遍认为，未来还有一些 AI 相关应用程序将需要大容量内存支持。例如，预计明年全球智能手机出货量将增加 预计3%将促进高价值内存市场需求的扩大。

集邦咨询还指出，最近关于内存制造商扩大投资和提高产能的消息主要是由于 HBM 促进市场需求增长，而不是扩大所有产品的产能。

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