消息称三星电子正研发“3.3D”先进封装技术，目标 2026 年二季度量产

电脑系统网 7 月 3 日信息，韩国媒体 ETNews 近日消息称，三星电子 AVP 优秀封装单位正在开发中面对 AI 集成电路芯片的新式“3.3D”优秀封装技术，总体目标 2026 年二季度完成量产。

韩国媒体给的设计概念表明，这一 3.3D 封装技术融合了三星电子多种优秀异构体集成化技术。

设计概念中 GPU（AI 计算芯片）竖直层叠在 LCC（电脑系统网注：即 SRAM 缓存文件）以上，两个部分键合为一体，这一点类似三星电子目前 X-Cube 3D IC 封装技术。

但在 GPU LCC 缓存文件总体与 HBM 内存的互连中，这一 3.3D 封装技术又和 I-CubeE 2.5 封装技术也有不少共同之处：

GPU LCC 缓存文件总体和 HBM 坐落于铜 RDL 重走线中介公司层中，用硅桥处理芯片完成裸晶间的相互连接，而铜 RDL 重走线层又坐落于载板上边。

这一设计方案在大多数部位选用铜 RDL 重走线层取代价钱可以达到前面一种十倍的硅中介公司层，仅在必要一部分引进硅桥。

贴近三星电子的消息来源强调，该设计可在没有放弃处理芯片主要表现前提下较完全采用硅中介公司层的解决方案减少 22% 产品成本。

除此之外三星电子也将在这一 3.3D 封装技术中引入控制面板级（PLP）封装，用大中型正方形载板取代面积有限的圆形单晶硅片，进一步提升封装生产率。

韩国媒体觉得，三星电子总体目标打造出产品价格和生产效率上均有独特优势的新一代 3.3D 封装技术，在目前由tsmc主导优秀封装代工生产销售市场啃下大量无厂设计公司订单。

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