新存科技公布国产最大容量新型 3D 存储器芯片参数：最高 IO 速度 3200MT/s

电脑系统网 10 月 8 日消息，参考电脑系统网此前的报道，新存科技 9 月 23 发布了国内首款自主研发的最大容量新型 3D 存储器芯片 NM101。本产品采用先进的工艺工艺，结合三维堆叠技术，单芯片容量达到 64Gb。

新存科技官网现已公布 NM101 芯片参数：

可以看到 NM101 采用 SLC 最高类型的存储单元 IO 速度（I/O 接口速率为3200MT/s，总线位宽为 ×8，IO 为 1.2V，支持 0℃~ 70℃ 运行温度。

新存科技表示 NM101 基于新材料的电阻变化原理，支持随机读写。与同类产品相比，读写速度可以提高 10 寿命也可以增加两倍以上 5 可与行业合作伙伴的控制芯片相匹配，用于企业级或消费级高性能存储产品的开发。

据《湖北日报》报道，新存科技 NM101 芯片属于相变存储器（PCM，Phase Change Memory），与英特尔和美光合作开发的这一点 3D XPoint 相似：

广告声明：文本中包含的外部跳转链接（包括不限于超链接、二维码、密码等形式）用于传递更多信息，节省选择时间。结果仅供参考。计算机系统网络上的所有文章都包含了本声明。