英特尔确认 ASML 第二台 High NA EUV 光刻机完成安装

电脑系统网 10 月 9 日消息，ASML 新任 CEO 傅恪礼（Christophe Fouquet）出席 SPIE 会议并发表演讲，重点介绍 High NA EUV 光刻机。

他提到，High NA EUV 不太可能像原来的光刻机那样 EUV 像光刻机一样延迟。傅恪礼还谈到了组装扫描仪器组件的新方法，即直接安装在客户工厂，无需拆卸和再组装过程。这将大大节省 ASML 有助于加快与客户的时间和成本 High NA EUV 发送和交付光刻机。

接着是英特尔院士兼光刻总监 Mark Phillips，他说英特尔已经在波特兰工厂完成了两个 High NA 光刻系统的安装，他还发布了一些信息，表明 High NA EUV 相对于标准 EUV 光刻机的改进可能比以前想象的要多。

他说，因为他已经有经验了，第二套 High NA EUV 光刻系统的安装速度比第一个快。据说，High NA 所需基础设施已到位并开始运行。用于 High NA 光刻掩模检测已按计划进行。因此，英特尔可以投入生产，而无需做太多的辅助支持。

Mark 还被问及 CAR他说(化学放大耐腐蚀剂)和金属氧化物耐腐蚀剂。 CAR 金属氧化物光刻胶在未来的某个时候可能是足够的。英特尔的目标插入点是 Intel 14A 工艺(计算机系统网注:预计 2026~2027 年量产)，可能比预期的要快。

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